Как заявили представители TSMC, в этом квартале они планируют завершить разработку 10 нм техпроцесса. А следующей весной они собираются начать производить микросхемы. Раньше компания сообщала, что уже ведутся работы с клиентами над конструкцией 10 нм чипов, которые запустят в серийное производство в конце 2016 года. Однако сроки массового производства придется несколько сдвинуть, поскольку заказчики решили не форсировать переход на такой тонкий техпроцесс.
Портал rusfact.com уточняет, что 10 нм техпроцесс CLN10FF использует технологию производства транзисторов с затвором 3D FinFET, расположенным вертикально. Новинка на 110 процентов увеличит плотность микросхем в сравнении с техпроцессом 16 нм FinFET+.